安規(guī)電容廠家：如何辨別什么是獨(dú)石電容器？

首先，要清楚什么是獨(dú)石電容器。既然稱之為 “ 電容器”，就應(yīng)該是物理過程存儲電荷， 而不是依靠電化學(xué)過程存儲電荷。在這個基本概念下，純雙電層原理的獨(dú)石電容器是真正的 電容器;電化學(xué)電容器是否可以稱為電容器則需要分析。電化學(xué)獨(dú)石電容器應(yīng)分為兩類，如 果是一雙電層原理占主要電荷(或能量)存儲的可以稱之為獨(dú)石電容器，一般這種超級電容 器的能量密度不會比雙電層效應(yīng)的獨(dú)石電容器大多少，因此，這種獨(dú)石電容器幾乎沒有實(shí)際 意義;第二類的電化學(xué)“獨(dú)石電容器”的電荷存儲是一電化學(xué)原理占主要成分，雙電層原理所 占的電荷僅僅是一小部分。這種“獨(dú)石電容器”實(shí)際上應(yīng)成為“電容電池”，一進(jìn)部署一電容器 范疇，在實(shí)際上，蓄電池里或多或少也存在雙電層效應(yīng)，是否將鋰離子電池、鎳氫電池、鉛 酸電池液歸類于“獨(dú)石電容器”中，結(jié)果是否定的。因此，如果電化學(xué)效應(yīng)明顯的超過了雙電 層效應(yīng)，也稱之為“獨(dú)石電容器”就顯得喧賓奪主了。那么稱之為“贗電容”或“準(zhǔn)電容”倒是有 些恰如其分。

1.電容容量越大越好。

很多人在電容的替換中往往愛用大容量的電容。我們知道雖然電容越大，為IC提供的電流補(bǔ)償?shù)哪芰υ綇?qiáng)。且不說電容容量的增大帶來的體積變大，增加成本的同時還影響空氣流動和散熱。關(guān)鍵在于電容上存在寄生電感，電容放電回路會在某個頻點(diǎn)上發(fā)生諧振。在諧振點(diǎn)，電容的阻抗小。因此放電回路的阻抗Z小，補(bǔ)充能量的效果也Z好。但當(dāng)頻率超過諧振點(diǎn)時，放電回路的阻抗開始增加，電容提供電流能力便開始下降。電容的容值越大，諧振頻率越低，電容能有效補(bǔ)償電流的頻率范圍也越小。從保證電容提供高頻電流的能力的角度來說，電容越大越好的觀點(diǎn)是錯誤的，一般的電路設(shè)計中都有一個參考值的。

2.同樣容量的電容，并聯(lián)越多的小電容越好

耐壓值、耐溫值、容值、ESR(等效電阻)等是電容的幾個重要參數(shù)，對于ESR自然是越低越好。ESR與電容的容量、頻率、電壓、溫度等都有關(guān)系。當(dāng)電壓固定時候，容量越大，ESR越低。在板卡設(shè)計中采用多個小電容并連多是出與PCB空間的限制，這樣有的人就認(rèn)為，越多的并聯(lián)小電阻，ESR越低，效果越好。理論上是如此，但是要考慮到電容接腳焊點(diǎn)的阻抗，采用多個小電容并聯(lián)，效果并不一定突出。

3.ESR越低，效果越好。

結(jié)合我們上面的提高的供電電路來說，對于輸入電容來說，輸入電容的容量要大一點(diǎn)。相對容量的要求，對ESR的要求可以適當(dāng)?shù)慕档?。因?yàn)檩斎腚娙葜饕悄蛪?，其次是吸收MOSFET的開關(guān)脈沖。對于輸出電容來說，耐壓的要求和容量可以適當(dāng)?shù)慕档鸵稽c(diǎn)。ESR的要求則高一點(diǎn)，因?yàn)檫@里要保證的是足夠的電流通過量。但這里要注意的是ESR并不是越低越好，低ESR電容會引起開關(guān)電路振蕩。而消振電路復(fù)雜同時會導(dǎo)致成本的增加。板卡設(shè)計中，這里一般有一個參考值，此作為元件選用參數(shù)，避免消振電路而導(dǎo)致成本的增加。

4.好電容代表著高品質(zhì)。

“唯電容論”曾經(jīng)盛極一時，一些廠商和媒體也刻意的把這個事情做成一個賣點(diǎn)。在板卡設(shè)計中，電路設(shè)計水平是關(guān)鍵。和有的廠商可以用兩相供電做出比一些廠商采用四相供電更穩(wěn)定的產(chǎn)品一樣，一味的采用高價電容，不一定能做出好產(chǎn)品。衡量一個產(chǎn)品，一定要全方位多角度的去考慮，切不可把電容的作用有意無意的夸大。